功能描述：MOSFET N-CH 60V 44V 8DFN

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：AlphaSGT?

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：44A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：65nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2520pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：56W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.7 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TA）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-DFN（5x6）

封装/外壳：8-PowerSMD，扁平引线

标准包装：1

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